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厂商型号

KSC2757RMTF 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Epitaxial Sil

内部编号

3-KSC2757RMTF

#1

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KSC2757RMTF产品详细规格

文档 Mold Compound 12/Dec/2007
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 15V
频率转换 1.1GHz
噪声系数 (dB Typ @ f) -
增益 -
功率 - 最大 150mW
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 60 @ 5mA, 10V
集电极电流(Ic)(最大) 50mA
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.05
最小直流电流增益 60@5mA@10V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大功率耗散 150
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 1100(Typ)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 30
供应商封装形式 SOT-23
最大集电极发射极电压 15
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 50mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 1.1GHz
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 15V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
功率 - 最大 150mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 60 @ 5mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
增益带宽产品fT 1.1 GHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
最大功率耗散 150 mW
直流集电极/增益hfe最小值 60
直流电流增益hFE最大值 240
集电极 - 发射极最大电压VCEO 15 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 30 V
最低工作温度 - 55 C
集电极最大直流电流 0.05 A
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.05 A

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